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采用射频等离子体化学气相沉积技术(RF-PECVD)在单晶硅片衬底上制备了镶嵌有纳米非晶硅颗粒的氮化硅薄膜.实验表明:制备的氮化硅薄膜中出现了氮化硅晶体颗粒和微晶硅颗粒,且微晶硅颗粒尺寸小于100nm,可视为纳米晶硅颗粒.
氮化硅中纳米非晶硅薄膜的制备
【摘 要】
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采用射频等离子体化学气相沉积技术(RF-PECVD)在单晶硅片衬底上制备了镶嵌有纳米非晶硅颗粒的氮化硅薄膜.实验表明:制备的氮化硅薄膜中出现了氮化硅晶体颗粒和微晶硅颗粒,且
【机 构】
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重庆邮电大学移通学院,重庆 401520
【出 处】
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汽车博览
【发表日期】
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2020年10期
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