【摘 要】
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据《Compound Semiconductor》2009年第1/2期报道,SiC,GaN最主要的优势是它可与AlGaN一起形成外延异质结构,使其界面具有优异的传输性能、高耐压和高电子迁移率。这种器件具
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据《Compound Semiconductor》2009年第1/2期报道,SiC,GaN最主要的优势是它可与AlGaN一起形成外延异质结构,使其界面具有优异的传输性能、高耐压和高电子迁移率。这种器件具有非常低的开关和传导损耗,横向GaNHEMT比垂直硅MOS结构要低3~4个数量级。但只有价格与硅器件相当,才能
According to “Compound Semiconductor” No. 1/2 of 2009, the main advantage of SiC and GaN is that it can form an epitaxial heterostructure with AlGaN to provide excellent interface performance with high breakdown voltage and high electron mobility . This device has very low switching and conduction losses, and lateral GaNHEMTs are 3 to 4 orders of magnitude lower than vertical silicon MOS structures. But only if the price is comparable to silicon devices
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