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采用碳化硅4H／6H多型纳米线制备单电子晶体管，在室温下观察到库仑阻塞效应和负微分电阻，FV曲线呈现典型的库仑台阶，其台阶为周期性的，这些周期性小台阶，又呈现非周期的嵌套结构。单根纳米线碳化硅由4H／6H多型交替生长构成，它们嵌合构成竹节状生长，碳化硅多型结构中4H多型晶体构成双势垒，其直径为10～80nm，长度约50nm。而联结4H多型的6H多型晶体部分，长度约20nm，且直径较细（约10～35nm），被认为是库仑孤岛。