一种多输出的快速高电源抑制比带隙基准

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luhu779
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设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比的电流源提供,并且设计了启动电路。基于CSMC 0.5μm工艺对电路进行了优化,仿真表明在全温度范围内基准电压变化2.72 mV,低频电源抑制比高于-100 dB,输出建立时间10μs;对降压型DC-DC电源芯片的直流和交流测试表明,基准工作稳定可靠。 A simple, multi-output bandgap reference circuit is designed and implemented. The pnp bipolar transistor is used as the emitter follower to drive the bandgap reference. The operating current is provided by a current source proportional to the absolute temperature and is designed Start the circuit. The circuit is optimized based on the CSMC 0.5μm process. The simulation shows that the reference voltage changes 2.72 mV over the full temperature range, the low-frequency power supply rejection ratio is higher than -100 dB and the output settling time is 10μs. The DC- And exchange tests show that the benchmark work is stable and reliable.
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