【摘 要】
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采用电化学阳极氧化法,对p型单晶硅施加30 mA/cm~2的恒定电流密度,在40%氢氟酸溶液中和氮气保护气氛下分别极化1、3和5 min,制备不同生长阶段的多孔硅样品,通过表面形貌观测
【机 构】
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北京理工大学珠海学院材料与环境学院,厦门大学材料学院材料科学与工程系,福建省特种先进材料重点实验室,
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采用电化学阳极氧化法,对p型单晶硅施加30 mA/cm~2的恒定电流密度,在40%氢氟酸溶液中和氮气保护气氛下分别极化1、3和5 min,制备不同生长阶段的多孔硅样品,通过表面形貌观测及微观结构表征,获得从单晶硅到多孔硅形成过程所涉及的各种晶态组成的相对比例。结果表明:不同极化时间制得的单晶硅表面均形成了海绵状均匀分布的纳米孔洞结构。在多孔硅的形成过程中,单晶硅结构发生了显著的晶态转变和晶粒尺寸变化,导致大单晶、纳米晶和无定形态并存,晶粒直径从初期的1.41 nm减小到并保持在0.65 nm,而晶态的转变和晶粒尺寸的变化被认为与晶格畸变程度有关。
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