高倍增GaAs光电导开关的光激发电荷畴模型(英文)

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结合实验中观察到的光激发电荷畴现象 ,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增 Ga As光电导开关的瞬态特性 ,讨论了高倍增 Ga As光电导开关的非线性特性如上升时间、时间延迟和光能、电场阈值 ,光激发电荷畴的成核、生长以及畴内发生的碰撞电离和辐射复合决定了高倍增 Ga As光电导开关的引发和维持相 ,理论计算结果与实验测试相符合 In this paper, the theoretical model of photoexcited charge domain was proposed to describe the transient characteristics of GaAs photoconductive switches with high multiplication, and the nonlinear characteristics of GaAs photoconductive switches with high multiplication such as rise time and time Delay and light energy, threshold of electric field, nucleation and growth of photoexcited charge domain and impact ionization and radiation recombination in the domain determine the initiation and maintenance phase of GaAs photoconductive switch with high multiplication, and the theoretical calculation results are in accordance with the experimental tests
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