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该文在介绍了传统电荷泵结构的基础上，结合驱动内部功率管的实际需求，充分利用内部功率管本身的寄生电容，设计了一个单电容电荷泵和该......
静电放电是电子设备产生电磁干扰的重要来源之一,会产生瞬时大电流和强电磁场,通过传导和辐射的方式对电子设备产生危害甚至损伤。......
地震动合成方法的应用前景与其所能表达的有效频带范围紧密相关.本文研究基于频率波数域格林函数的地震动合成方法(FK法),分析频带......
方波在数字系统和控制系统中都有很重要的作用.信号源输出方波的沿是最陡峭的,用有限的软硬件平台去测量方波信号源全频段的参数是......
场路协同仿真方法可耦合场与路研究空气静电放电的非线性特征,有助于静电放电防护的进一步改进.基于CST仿真软件,首先通过静电放电......
工作在脉宽调制电压下的电力电子器件承受高频脉冲电应力,其绝缘封装可靠性已成为制约电力电子器件向高频、高功率密度发展的重要......
针对某些使用PID控制器的控制系统,提出3种简单的工程设计方法.以一个典型的绝对不稳定非线性系统(二自由度磁悬浮装置)作为实验对......
低压荧光灯的发光原理是基于：汞原子在灯管中受激发，受激发汞原子的价电子跃回到基态时，释放出的253．7nm紫外辐射，激发荧光粉发光。因此......
设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵结构。通过改进振荡器电路和采用双驱动结构，提高了电荷泵的升压速度，增大了电荷泵的驱动能力。......
研制了一台10kV高压方波发生器,它将用于标定快速相应的分压器.它由直流高压电源、触发器和陡化器组成.通过ANSYS软件模拟不同结构......
影响数字示波器上升时间的因素要多于模拟示波器,本文通过实际测试,对此作了初步探讨,提出实时上升时间与重复上升时间的概念,探讨......
介绍了用于Z箍缩驱动器的快脉冲直线型变压器驱动源(LTD)原型模块设计和初步实验结果。该模块采用32个子块并联，每个子块由两台100 ......
针对NTN技术的脉冲波形参数国家基准已无法完全满足目前超高速电脉冲波形测量和校准的现状,构建了基于电光采样技术的脉冲波形参数......
利用新研制成功的空气静电放电模拟-测试系统，研究了电极接近速度和放电电压对静电放电电流峰值、上升时间以及感应电压峰-峰值等静......
在空气放电模式下,测量在不同放电电压情况下的放电电流峰值及上升时间,通过分析数据发现,在放电电压一定的情况下,放电电流峰值与......
非接触静电放电发生时，放电参数会受到多种环境因素(如电极移动速度、气体压强、温度等)的影响而发生明显的改变。基于在实验中......
会议
分析了人体-金属模型静电放电(BMM-ESD)测试物理环境,建立电路模型,通过拉氏域分析算得电流解析式,进而得到上升时间与电路各参量......
针对NTN技术的脉冲波形参数国家基准已无法完全满足目前超高速电脉冲波形测量和校准的现状,构建了基于电光采样技术的脉冲波形参数......
在核反应时间过程测量系统中，闪烁体主要用于将中子转换为便于记录的可见光。EJ-232塑料闪烁体的主要特点是响应快、衰减时间短，利用......
利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对PN结的毁坏过程,对计算结果作了分析,得到了一维器件模......
由在设备制造利用 Schottky 接触，我们构造了快反应紫外光电探测器基于处理答案的 ZnO nanocrystals。在 5 V，察觉者与 20 ns 的一上......
我们对成都地区200例正常人进行了肺阻抗血流图和微分图(IPR)的测定,结果7项指标的均值及标准差为Q-B/B-Y=0.299±0.101;Q-B指数=......
在耀斑已基本确定为质子耀斑的情况下,为了对即将到达地球的太阳质子作出半定量的粗略预报(警报),即估计从观测到光学耀斑开始,需......
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性......
利用能较好描述高温超导体反常温度特征的推广二流体模型和传输线理论，计算和模拟了用于ＶＬＳＩ封装互连的高温超导互连线的传输常数随温度......
简要介绍了多芯片组件（MCM）技术的由来、分类、结构、性能及应用．
This paper briefly introduces the origin, classification, str......
当校正脉冲前沿上升时间一定时，前沿陡度随着幅值的增加而变大。脉冲陡度对局部放电测量的影响与分度电容Ｃ０有关，当Ｃ０＞５００ｐＦ时，陡度对测量结果的......
报道了在 GaN p-n 结上制作的可见光-不可见光紫外线光电探测器。这种探测器约在370nm 时有一突变的长波长截止波长,在369nm 时的......
彩色滤波膜、透明导电膜、表面稳定的铁电液晶取向膜等构成了彩色铁电液晶显示器的主要材料。文章论述了彩色铁电液晶显示器的制造......
讨论了手持小金属物件的带电人体产生的静电放电，即人体金属ＥＳＤ，介绍了其放电电流波形的主要特点及影响它的主要因素，并结合气体击穿理论......
加拿大EG＆G公司制造了廉价的硅雪崩光电二极管(APD),特点是上升时间和下降时间极快,低偏压、高增益,低击穿电压(一般为160 V),对测......
随着集成电路速度的提高,大多数脉冲和函数发生器的上升时间和下降时间(典型值为5ns)就不宜于测量20ns以下的时间间隔。采用模拟......
结合实验中观察到的光激发电荷畴现象 ,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增 Ga As光电导开关的瞬态特性 ,讨论了高倍增 Ga As光电......
利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要......
报告了利用泡沫橡胶模拟浅部软弱层对走滑破裂引起的强地面运动影响的结果。走滑地震引起强地面运动的计算机模拟,有时与对断层浅......
这些要求归纳起来,包括下述三个方面:1．火花塞上适当的点火参数:适当的火花能量,适当的点火电压,较快的二次电压上升时间(火花塞上......
该文针对这一问题,首先基于传输线理论详细分析高频PWM脉冲电压波在电缆上的传输反射过程,讨论脉冲上升时间和电缆长度等参数与电......
超宽带高功率脉冲技术的研究是当前国际上很活跃的前沿高科技之一，大功率脉冲前沿的锐化即获得一个短的脉冲前沿是各国学者关注的问......
为了探究稀土离子掺杂铝硅酸盐的光温特性,本文采用燃烧合成法制备了系列荧光粉材料Ca1-3x/2Al2Si2O8:xEu3+。X射线衍射结果表明掺......
显示屏是现代电子设备的重要组成部分,随着新技术的发展,显示屏的应用和使用越来越广泛,其需求不断增长。随着半导体制造工艺和结......
采用化学气相沉积(CVD)法成功制备了p-ZnO:Fe/n-GaN准三维纳米结构,并基于p-ZnO:Fe/n-GaN异质结制备了高性能的自驱动紫外光电探测......
由中国科学院武汉岩土力学研究所研制、上海大隆机器厂协作加工的“RDT-10000型岩石高压动力三轴仪”于1987年10月6日至9日在武汉......
