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用０．１μｍ赝配ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＧａＡｓ－ＩｎＰ ＨＥＭＴ技术研制了覆盖整个Ｗ波段（７５￣１１０ＧＨｚ）的单片平衡放大器。该放大器首次成功地制得７５到１１０ＧＨｚ的增益为２３±３ｄＢ，具有良好的反射损耗。这种放大器在９４ＧＨｚ附近的噪声系数约为６ｄＢ。据我们所知，在覆盖整个Ｗ波段单片放大器中，这是在带宽和高增益性能方面报道的最好结果。