【摘 要】
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介绍采用基于反型金属氧化物半导体场效应晶体管（IMOS）的变容二极管（varactor）实现频率可调节驻波振荡器的设计结构,通过仿真对比驻波振荡器中可变电容集总式分布和离散式分布对
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介绍采用基于反型金属氧化物半导体场效应晶体管（IMOS）的变容二极管（varactor）实现频率可调节驻波振荡器的设计结构,通过仿真对比驻波振荡器中可变电容集总式分布和离散式分布对频率调节范围和功耗的影响.在65nm工艺下的仿真结果表明,集总式分布的可变电容可以使驻波振荡器以较小的功耗增长获得更大的频率调节范围,频率调节范围可以达到20%.基于该振荡器提出全局同步芯片、全局异步局部同步芯片中时钟系统设计结构,通过仿真测试这些时钟系统在不同温度波动、电压波动和工艺偏差下的频率变化.仿真结果表明,这些结构可以
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