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利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段，对采用金属有机物气相沉积法（MOCVD）制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究．吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0．68eV，接近于现阶段主要报道值0．7eV．喇曼散射光谱实验说明窄光学带隙主要源于较低的背景电子浓度．利用椭圆偏振光谱不仅得到了纤锌矿InN临界点跃迁能量的值E。，同时首次得到了在0．65～4．0eV能量范围内复折射率实部n，虚部k的色散曲线．