声音也高清——高清音频技术与应用

来源 :家庭影院技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hawkwang2008
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
编者按:任何新生的事物都是从简单走向复杂,从粗糙进化到极致的。观察高清领域.近年来的发展之快让人目不暇接,而Blu-ray、HD DVD、HDMI Ver 1.3等新技术及新产品与我们的贴近,则让高清成为真正现实的话题。相信不少读者都已在大画面下欣赏过高清的影像,进行过它们的热身PK大赛,真切感受和体验到高清的魅力了。 Editor’s Note: Any newborn things are from simple to complex, from rough evolution to the extreme. In the field of high definition, the development in recent years is overwhelming, and the close proximity of Blu-ray, HD DVD, HDMI Ver 1.3 and other new technologies make HD a real reality. I believe many readers have been in the big picture to enjoy the HD images, had their warm-up PK contest, the real feeling and experience the charm of high-definition.
其他文献
随着经济的发展,人们对生活质量也提出更高的要求,而采暖通风空调也走进千家万户,但在设计中,仍存在着一些问题,基于此,本文对常见问题展开了分析,并提出了相应的对策。
  埋栅-埋沟4H-SiC MESFET新型结构器件是利用工艺手段将栅极底部埋入导电沟道内部中,并在其导电沟道上部加入一层缓冲层。利用ISE软件,建立了埋栅-埋沟4H-SiC MESFET模型,并
会议
据北京统计局的统计资料显示,2000年总共销售经济适用房14924套,这意味着到2005年这些经济适用房表面上均有资格以市场价格进行交易。但是,是否真的如此呢?记者对业内人士进
  介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计,制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片,经过装架、压丝,
  生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上,推
  结合漏电流的解析模型和适用CAD工具准解析模型,提出了一种新型4H-SiCMESFET自热效应物理模型。模型包括4H-SiC低场电子迁移率和杂质不完全离化随温度的变化的一种CAD建模
  在静电保护器件中,SCR结构由于其较强的耐压能力和较低的导通电阻被用于有效保护输入输出节点和内部电路。由于SCR的触发是由pn结雪崩击穿引起的,故触发电压可通过调节掺杂
  通过对铬硅薄膜电阻变化机理的研究,分析了可能影响薄膜电阻跟踪特性的几个因素:光刻方式、退火处理温度和时间以及激光修调等,最终研制出跟踪特性良好的铬硅薄膜电阻。
  为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响,在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下,TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究的基础上,
网址:www.gpstuner.com远行平台:Pocket PC GPS Tuner Offroad Navigation目前的最新版本为5.1,顾名思义它是一款在野外没有道路的情况下用于导航的软件,可以在进行徒步、划