基底加热温度对ITO薄膜的性能影响研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuanjinxing1987

【摘要】

：

氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛用作光电器件中的透明导电电极,其透光率、导电性、表面粗糙度、与基底的功函数匹配及其电流传输特性都会对光电器件的性能造成影响。本文采用射频(R

【作者】

：

王欣月张兆诚黎智杰何婉婷温锦秀罗坚义唐秀凤王忆

【机构】

：

五邑大学应用物理与材料学院,五邑大学

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2021年5期

【关键词】

：

基底温度 ITO透明导电薄膜载流子浓度光电特性功函数

【基金项目】

：

国家自然科学基金(51802229),广东省自然科学基金(2018A030313561),2020年广东大学生科技创新培养专项资金(pdjh2020b0609)。

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氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛用作光电器件中的透明导电电极,其透光率、导电性、表面粗糙度、与基底的功函数匹配及其电流传输特性都会对光电器件的性能造成影响。本文采用射频(RF)磁控溅射方法制备ITO薄膜,系统研究了基底加热温度对其各方面性能的影响,并确认了最佳基底温度。实验采用锡掺氧化铟陶瓷为靶材,组分摩尔比为m(In₂ O₃)∶m(SnO₂)=90∶10。采用XRD、SEM对所制备的薄膜进行表征,系统分析不同基底温度对ITO薄膜结晶性能、形貌

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