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垒层温度对InGaN量子点/量子阱复合结构内量子效率的影响

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jy02553920

【摘 要】

：

使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法生长了三个具有不同垒层温度的InGaN/GaN量子阱。由于高密度V型坑的形成,完整的量子阱结构被

【作 者】

：

平晨 贾志刚 董海亮 张爱琴 许并社 

【机 构】

：

太原理工大学,太原理工大学轻纺工程学院,陕西科技大学

【出 处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2021年5期

【关键词】

：

量子点/量子阱复合结构 V型坑 量子限制斯塔克效应 非辐射复合中心 内量子效率 金属有机化学气相沉积 

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61904120,21972103,61604104,51672185),国家重点研发计划(2016YFB0401803),山西省基础研究项目(201901D111127,201801D221124,201801D121101,201901D111111,201901D211090,201601D202029),山西省重点研发项目(201803D31042)。

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使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法生长了三个具有不同垒层温度的InGaN/GaN量子阱。由于高密度V型坑的形成,完整的量子阱结构被破坏,转变成了InGaN量子点(quantum dots,QDs)/量子阱(quantum well,QW)复合结构。通过变功率光致发光谱和变温光致发光谱,分析了在不同的垒层温度下量子限制斯塔克效应(quantum confined Stark effect,QCSE)、非辐射复合中心密度和

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