SOI高温压力传感器无引线倒装式封装研究

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绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃,但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效.开展基于无引线倒装式封装芯片方法的研究.首先,在完成SOI压力传感器芯片制备的基础上,提出了基于阳极键合工艺和玻璃通孔填充(TGV)工艺的倒装式封装方案;其次,研究带有图形的硼硅玻璃和SOI阳极键合工艺,以及基于电镀工艺的通孔金属填充工艺,并对键合强度、键合界面、金属填充效果以及电连接性能进行测试;最后,针对封装好的芯片在常温环境下进行传感器气密性、电连接性能、线性度以及重复度等性能进行测试,进一步验证无引线倒装式封装方法的可行性和有效性.
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针对将粘接胶视为弹性材料建立的封装模型不能完全反映粘接胶材料特性与加载历史、时间和温度之间关系的问题,研究了粘接胶的粘弹性对硅微谐振式加速度计热应力的影响.首先,对粘接胶材料进行动态力学测试,得到粘接胶材料本构模型.其次,建立加速度计封装有限元模型,研究粘接胶松弛模量和热膨胀系数以及循环温度载荷对芯片结构应力的影响.研究结果表明:粘接胶材料参数、温度载荷与时间均会影响温度应力,低松弛模量与热膨胀系数接近于被粘接材料的粘接胶能够降低结构中的热应力,同时能够降低时间和多次循环温度载荷对应力的影响.
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