【摘 要】
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利用单晶硅在KOH溶液中的各向异性刻蚀特性,在相对Si（111）面切偏角为5°的单晶片上制作了1200gr/mm的真空紫外闪耀光栅。结合全息干涉曝光以及光刻胶灰化技术,在单晶硅表面
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（No.10875128）, 中国博士后科学基金资助项目（No.20090460727）,致谢 在此感谢国家同步辐射实验室光谱辐射标准和计量实验站的周洪军高级工程师和霍同林工程师在光栅衍射效率测试中给予的协助.
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利用单晶硅在KOH溶液中的各向异性刻蚀特性,在相对Si（111）面切偏角为5°的单晶片上制作了1200gr/mm的真空紫外闪耀光栅。结合全息干涉曝光以及光刻胶灰化技术,在单晶硅表面得到了小占宽比的高质量光刻胶掩模,用湿法刻蚀将光栅掩模图形转移到单晶硅表面的天然氧化层上,并将其作为硅各向异性湿法刻蚀的掩模,成功获得了接近于理想锯齿槽形的闪耀光栅。用原子力显微镜分析光栅闪耀面,结果表明其表面均方根粗糙度约为0.2nm。在真空紫外波段对其进行衍射效率测量,发现光栅在135nm波长处显示出良好的闪耀特性
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