【摘 要】
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合成了颗粒均匀细小的单相MgO· 1.15Ga2O3尖晶石粉体,通过无压预烧结合热等静压烧结制备出致密陶瓷.采用X射线Rietveld全谱拟合法确定其晶体结构为(Mg0.118Ga0.882)Ⅳ[Mg0.781Ga1.185□0.033]ⅥO4(□为空位),用Raman光谱与红外反射光谱研究了晶体结构、声子振动模与本征介电性能的关系.结果 表明:MgO·1.15Ga2O3陶瓷的介电常数εT=13.21,品质因子Qu×f=166 THz,且[Mg—O]多面体振动基团的声子振动模对振子强度和本征介电损耗影响较
【机 构】
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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉430070
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合成了颗粒均匀细小的单相MgO· 1.15Ga2O3尖晶石粉体,通过无压预烧结合热等静压烧结制备出致密陶瓷.采用X射线Rietveld全谱拟合法确定其晶体结构为(Mg0.118Ga0.882)Ⅳ[Mg0.781Ga1.185□0.033]ⅥO4(□为空位),用Raman光谱与红外反射光谱研究了晶体结构、声子振动模与本征介电性能的关系.结果 表明:MgO·1.15Ga2O3陶瓷的介电常数εT=13.21,品质因子Qu×f=166 THz,且[Mg—O]多面体振动基团的声子振动模对振子强度和本征介电损耗影响较大.晶格声子振动模对本征介电损耗也有不容忽视的影响.
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