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采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜，研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si（111）衬底上溅射沉积380nmMg膜，然后在退火炉内氩气氛围500℃退火，退火时间分别为3．5h、4．5h、5．0h、5．5h、6．Oh。采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征。结果表明，采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜。Mg2Si薄膜具有Mg2Si（220）的择优生长特性，最强衍射峰出现在40．12。位置；随着退火时间的延长，Mg2Si外延薄膜的衍