压电材料主要包括压电陶瓷、压电单晶、压电聚合物、压电薄膜以及压电复合材料。目前应用最广泛的是铅基压电陶瓷,比如PZT系列。近年来,铅基压电单晶以其优异的压电性能受到极大关注。本论文研究工作包括2部分:新型弛豫压电单晶PZNT的生长研究和基于压电材料的温度压力双峰传感器研究。本文第一章介绍各种压电材料及其应用,梳理了压电材料的发展历史;回顾了有机薄膜晶体管(OTFT)的发展历程,简述了 OTFT器件的四种基本结构:顶栅底触点结构,顶栅顶触点结构,底栅顶触点结构和底栅底触点结构。第二章中,我们以新型弛豫压电单晶PZNT为研究对象,对文献进行总结,包括新型弛豫压电单晶的生长技术、物理性能及其应用;采用固相生长工艺探索新型弛豫压电单晶的生长及表征,该生长方法难度较大,获得纯相的PZNT粉末,但生长结果不理想,没有得到可测试的晶体样品;采用助溶剂坩埚下降法生长PZNT晶体,通过组成配比、生长温度、生长速率、后处理等工艺优化,成功获得了厘米级单晶,晶体呈浅黄色、透明,简单测试了晶体的物理性能。在第三章,基于OTFT工作原理,在PZT压电陶瓷上首次设计了温度压力双峰传感器。所制备的晶体管迁移率达到4.81×10-3 cm2 V-1 s-1,器件在20-100℃之间的温度灵敏度显著提高,有望在光开关等领域有重要应用潜力。本工作原计划在高性能PZNT单晶上制备OTFT器件。由于晶体生长难度大,周期长,我们采用生长与器件研究同步进行的研究方案。采用陶瓷首次研制的双峰传感器已经展示出良好的效果,未来将持续开展在压电性能更为优异的PZNT晶体上制备双峰传感器,有可能对器件的灵敏度、小型化等方面有更好的提升。