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该论文重点分析了界面态分布和源漏串联电阻对SiCPMOS器件特性的影响.提出了一个价带附近的界面态分布模型,用该模型较好地描述了SiCPMOS器件阈值电压随温度的变化关系、C-V特性曲线以及亚阈特怀曲线;分析了源漏寄生电阻对SiCPMOS器件输出特性、转移特性以及有效迁移率的影响;论文中用模拟软件Medici模拟了SiCPMOS器件的输出特性和漏击穿特性,分别模拟了室温下和300℃时SiCPMOS器件的输出特性,分析了栅电压、接触电阻、界面态以及其他因素对SiCPMOS击穿特性的影响.