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随着器件工艺尺寸的缩小,应变技术在硅基器件性能提升方面成为了重要手段之一。信息通信技术迅猛发展,推动半导体器件向高功率高频......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）及其模型在过去的几十年中一直是学术研究和工业应用的焦点。首要原因是它具有电荷密度大、电子......
建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模......
用低能量（５５０ｅＶ）氩离子束轰击ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ芯片的背面，能改善其阈值电压Ｖｒ、跨导ｇ〈，ｍ〉、沟道电导ｇ〈，ｄ〉、有效迁移率μ〈，ｅｆｆ〉等参数。结果表明，随着轰击时间的......
该论文重点分析了界面态分布和源漏串联电阻对SiCPMOS器件特性的影响.提出了一个价带附近的界面态分布模型,用该模型较好地描述了S......
假设载流子浓度按指数关系变化，认为注入电流为热电子电流和隧穿电流，通过引入电荷空间分布特征长度和有效迁移率，讨论了单层单极聚合......
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管（poly-Si TFT）漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在......
随着通信技术的进步,资源受限的移动终端设备已不能满足移动用户在数据处理方面急剧增加的需求。一方面,移动边缘计算可将移动设备......
多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFTs)制造工艺简单、成本低廉,且具有较好的电学特性,在有源液晶显示器、三维立体集成电路、大容量存储......
