ZnO基薄膜和器件的制备及性能研究

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【摘要】

：

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带(3．3 eV)化合物半导体材料。相对于氮化稼(GaN)、铟锡氧化物(ITO)和二氧化锡(SnO_2)而言，具有原材料丰富、价格低廉、沉积温度相对较低，易刻蚀和在氢等离子体环境中稳定性好等优点，是一种很有应用潜力的半导体材料。透明导电化合物作为一种重要的光电子信息材料，在制造平板液晶显示器、发光器件、薄膜太阳能电池、表面声波器件和红外探测器等领域得到了广泛的应用，通

【作者】

：

刘暐昌

【机构】

：

浙江大学

【发表日期】

：

2008年05期

【关键词】

：

ZnO:Ga薄膜直流反应磁控溅射透明导电薄膜透明电极透明发热膜 Zn1-xMgxO薄膜 B-M效应

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