在光电转换过程中,普遍存在快速热化现象,这将影响光电器件的性能。热载流子弛豫时间是影响热化的一个关键因素,因此,研究者通过提升热载流子弛豫时间,进而提高器件的光电转换效率。2019年,有研究者通过理论研究发现了一种可用于光电转换器件的二维BeP2C材料。为进一步了解二维BeP2C的性质,我们使用密度泛函理论计算了材料的电子能带结构和声子谱,并利用瓦尼尔插值法计算了0 K和300 K时的电-声子散射率、热载流子弛豫时间和平均自由程等,进一步探讨了电荷掺杂情况下这种材料的相关输运性质。本文的内容主要由两部分组成,在第一部分中,我们首先在结构优化的基础上,计算了二维BeP2C的电-声子散射率、热载流子弛豫时间和平均自由程。计算结果表明,在费米能级附近,电-声子散射率比较小,随着能量远离费米能级,散射率先增大,到达极大值之后,又逐渐减小。当温度为0 K时,在能量为2.2 eV处电-声子散射率达到极大值,约为3.0×1015s-1;当温度增加到300K时,在能量为3.0 eV处达到极大值,是0 K时的两倍之大,约为6.1×1015s-1。这说明,电-声子散射率随温度的增加而增大。在温度0 K到300 K时,热载流子弛豫时间的最大值分别是800 fs和20 fs,平均自由程的最大值分别是240 nm和100 nm。与电-声子散射率相比,热载流子弛豫时间和平均自由程都出现相反的趋势。在第二部分中,我们主要研究了0 K和300 K时掺杂电子的二维BeP2C中的电-声子散射率、热载流子弛豫时间和平均自由程。当温度为0 K和300 K两种时,掺杂电子的电-声子散射率在1.9 eV处都具有最大值,分别为6.0×1016s-1和4.0×1015s-1。当温度为0 K和300 K时,掺杂电子的热载流子弛豫时间在0 eV处的达到780 fs和180 fs。当温度为0 K时,掺杂电子的平均自由程范围为100 nm。当温度为300 K时,掺杂电子的平均自由程范围为50 nm。在第三部分中,我们进行计算了掺杂空穴的电-声子散射率,温度分别是0K和300 K。当温度为0 K和300 K时,掺杂空穴的电-声子散射率在3.2 eV处都达到极大值,分别是4.0×1015s-1和7.5×1015s-1。这表明,随着温度的升高,电-声子散射率也在增大。但是,与电-声子散射率相比,热载流子弛豫时间出现相反的趋势。在0 K时,热载流子弛豫时间达到了70 fs。当温度增加到300 K时,热载流子弛豫时间缩短到10 fs。通过研究表明,与二维BeP2C的热载流子弛豫时间相比,掺杂空穴有助于提高热载流子弛豫时间。当温度为0 K时,掺杂空穴的平均自由程范围为400 nm。当温度为300 K时,掺杂空穴的平均自由程范围为200 nm。通过比较BeP2C和黑磷烯的输运性质,发现BeP2C和黑磷烯的热载流子弛豫时间非常相近,均在在800 fs。这说明,BeP2C和黑磷烯的光电转换效率可能是相同的。