电荷掺杂相关论文
二维材料因量子限域而表现出多种不同于体块材料的物理化学性质,在外场作用下具有更明显的多场耦合效应,未来在诸多领域具有广阔应......
过渡金属硫族化合物（transition metal dichalcogenides,TMDC）作为典型的二维材料,一般具有丰富的物理性质,不管磁学性质、光学性质......
在光电转换过程中,普遍存在快速热化现象,这将影响光电器件的性能。热载流子弛豫时间是影响热化的一个关键因素,因此,研究者通过提......
长久以来,人们发展了很多经典理论来描述宏观物体的运动、力与变形、摩擦磨损和制造加工等机械行为。表征技术的进步拓展了人们对......
由于超薄的厚度,单层二维纳米结构具有许多优异的性能以及广阔的应用前景,因此制备单层二维纳米结构并实现性能的调控尤其重要。本......
VO_2具有接近室温的金属-绝缘体相变(MIT)温度(68 ℃),相变过程伴随着电学、光学、磁学性质的突变,其中蕴含丰富的物理内涵,对该相......
半导体纳米材料已经成为一个活跃的研究领域。相对半导体体材料,半导体纳米材料由于载流子在多个空间维度上受到限制,其态密度非常......
采用双带模型研究了掺杂半导体量子线中的量子限域效应及有效库仑作用.通过有限元方法数值求解复杂边界条件下薛定谔方程,获得了T......
本文利用GAUSSIAN 03程序包中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平下,对聚21硅烷、电荷掺杂的聚21硅烷以及杂原子(硼和磷)掺杂的......
基于密度泛函理论和密度泛函微扰理论，研究了电荷掺杂对单层六方氮化硼片（h-BN）红外活性的影响．研究发现h-BN片中具有红外活性的ZO模对......
采用密度泛函(DFT)和PBC方法对σ-π共轭高分子电子结构和带隙进行理论研究,电荷掺杂和聚合物中π共轭链长度对带隙降低起到重要作......
本实验利用质量分数为40%的硫酸铵((NH4)2SO4)溶液在相对较低的温度条件下实现了对单层二硒化钨(WSe2)的高效n型掺杂,同时利用浓度......
用密度泛函理论（DFT），在B3LYP／6—31G（d）水平下对主链含有30个原子的聚乙炔和聚硅烷在未掺杂和电荷掺杂及掺杂后在电场作用下进行几何全......
自MacDiarmid,Heeger和Shirakawa发现聚乙炔在掺杂的情况下具有高导电性以来,有机导电高分子材料由于其在轻质、光学、超导等方面......
