负温度系数热敏电阻（NTCR）因其高灵敏度和低成本等特性而被广泛应用于家用电器、温度传感器等领域。随着现代集成电路的快速发展,对于NTC热敏电阻的性能要求也日益提高。为了能够很好的抑制浪涌电流,保护电子电路中的元器件,制备出具有低电阻率且同时具备高B值及高稳定性的NTC热敏电阻很有意义。本文主要以Mn-Ni-Cu为基础研究体系,以低电阻率高B值及高稳定性为研究目标,通过传统固相法制备出NTC热敏电阻,在制备工艺、掺杂元素及老化性改善方面进行了一系列研究。首先,采用第一性原理研究了尖晶石型NiMn2O4及Cu掺杂的电子结构和态密度。计算结果表明:正尖晶石型NiMn2O4导电性较差;而反尖晶石型NiMn2O4经Cu取代后,其导电性增强。表明在Mn-Ni基的基础上通过Cu的掺杂能提升其导电性能。其次,研究了Mn-Ni-Cu材料体系的烧结特性。研究结果表明,在1100～1200℃烧结温度范围内,随着烧结温度的升高,其电阻率与B值均呈现U型变化,电阻率范围为15～100Ω·cm,B值范围为2300～3000K,当烧结温度为1175℃时,电阻率为17.68Ω·cm,B值为2830K,老化率为11%。为了改善其老化性能,在处理工艺上进行调整,研究了敏化处理对于Mn-Ni-Cu材料体系性能的影响。结果表明,在200～600℃的敏化处理温度范围内,材料的晶格结构并未改变均为尖晶石结构,电阻率范围为13～18Ω·cm,B值范围为2750～3300K,当敏化温度为250℃,得到最小的老化率为6%。为了进一步降低老化率,研究了Zn掺杂对于Mn-Ni-Cu材料体系性能的影响。结果表明,在0～0.4的掺入浓度范围内,材料的电阻率随着掺入量的增加而增加,其电阻率范围为15～60Ω·cm,B值范围为2800～3000K,当掺入浓度为0.4时,样品在150℃老化150h后,老化率低于2%。由于Co在提升B值方面的优异特性,在Mn-Ni-Cu的基础上掺入Co,研究了Mn-Ni-Co-Cu材料体系的烧结特性。研究结果表明,在1150～1200烧结温度范围内,电阻率范围为20Ω·cm～30Ω·cm,B值范围为2600～2900K,当烧结温度为1175℃时,电阻率为15Ω·cm,B值为2900K,老化率为17.5%。为了降低老化率,分别研究了Zn、Ca元素的掺杂对于Mn-Ni-Co-Cu材料体系性能的影响。研究结果表明,在Zn元素掺杂方面,在0.2～0.4的掺入浓度范围内,材料的电阻率随着掺入量的增加而增加,电阻率范围为15～45Ω·cm,B值范围为3000～3300K,当掺入浓度为0.3时,得到的最小老化率为5%;在Ca元素掺杂方面,当掺入浓度为0.1～0.2时,材料的电阻率为25～75Ω·cm,B值为2800～3200K,当浓度为0.15时,其电阻率为66Ω·cm,B值为3200K,老化率为6%。