人们对能源危机意识已逐渐提高,新能源的需求和研究也在不断增加。硅太阳电池作为新能源的一个代表,已研究和发展半个多世纪。目前,降低成本和提高效率已成为现在的研究硅太阳电池的方向,硅片表面制备绒面是提高效率的一种途径。太阳电池p-n结制备是太阳电池生产过程中最关键的步骤,研究比较广泛。本文的主要内容是研究单晶硅太阳电池绒面制备和制备太阳电池p-n结。首先,简要说明了太阳电池的一些基本现状；其次,阐述了太阳电池的基本理论；接着,做了晶体硅太阳电池绒面制备的实验和制备p-n结的实验；最后,对绒面制备和p-n结制备实验的测试结果进行分析。单晶硅太阳电池绒面制备的过程中,在腐蚀的氢氧化钠溶液中加入添加剂(硅酸钠,碳酸钠,异丙醇和乙醇),发现添加剂浓度与腐蚀后硅片的反射率和反应速率有相应规律,对此进行了分析并得到最佳的条件；在NaOH-硅酸钠-异丙醇体系的正交实验中,NaOH的浓度和腐蚀温度对反射率影响最大,接下来是硅酸钠浓度和时间,异丙醇浓度对反射率影响最小,并得到了最佳反应条件：NaOH浓度1%,反应温度860℃,硅酸钠浓度0%,异丙醇浓度6%,腐蚀时间为30min。在p-n结制备实验中,三氯氧磷扩散法制备p-n结,研究了恒氮变氧,氮气和氧气流量比,变化时间,变化温度,气体总流量对方块电阻的影响,并对此进行了分析。五氧化二磷升华制备p-n结,对方块电阻影响最大的是反应时间,其次是气流量和硅片反应温度,P2O5升华温度影响较小。三氯氧磷扩散与五氧化二磷升华制备p-n结的均匀性比较中,用五氧化二磷升华制备出的p-n结要更加均匀。