【摘 要】
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硅纳米线围栅器件结构凭借其理想的短沟道抑制能力和高驱动电流,是适合于纳米尺度领域应用的最理想器件结构。北京大学已经提出了一种基于“Top-down”工艺制备硅纳米线围栅
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硅纳米线围栅器件结构凭借其理想的短沟道抑制能力和高驱动电流,是适合于纳米尺度领域应用的最理想器件结构。北京大学已经提出了一种基于“Top-down”工艺制备硅纳米线围栅器件的方法。本论文中,我们首先对制备硅纳米线的牺牲氧化工艺进行了系统研究,给出了不同氧化温度、氧化时间,初始线宽对纳米线最终形貌的影响,并制备出了直径为5nm的硅纳米线。同时基于传统CMOS工艺制备出了窗口电压为2.5V的硅纳米线SONOS器件。但此工艺会产生寄生的底管SONOS。为了改善纳米线SONOS器件的特性,我们提出了一种抑制底管的方法。最后,基于SOI衬底制备出了硅纳米线围栅晶体管。获得NMOS和PMOS器件的电流开关比分别为1×10~7和1×10~6,亚阈值斜率分别为75~80mV/dec和65~70mV/dec,这展示了纳米线围栅器件结构在集成电路中的巨大应用前景。
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