目前，随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件得到越来越广泛的应用，工作环境也越来越复杂。硅基器件（如MOSFET、IGBT等）由于其材料特点，使其发展受到了极大的限制，因此当前迫切需要一种能工作在高温、高压等特殊环境的新型器件。在第三代半导体中SiC材料因为其优良的物理和电学性质吸引了人们的注意，SiC器件发展也越来越快，其中SiC MOSFET就是目前最为成熟的一种SiC器件，而栅极驱动电路对于其应用有着非常重要的意义。本文的具体工作及结果如下:　　1.分析了SiC MOSFET的工作原理以及静态特性和动态特性，总结出其驱动电路设计要求。其次是根据其设计要求设计了一种SiC MOSFET驱动电路，该电路具有结构简单，实用性强，速度快，输出功率大等特点。　　2.在大功率和高频等特殊环境下工作，为了提高SiC MOSFET的可靠性，还对器件过载保护电路进行研究。分别对过流保护电路和过压保护电路进行研究，并通过PSpice软件对电路进行仿真，仿真结果显示过载保护电路可以有效地保护器件不受损坏。　　3.为了提高SiC MOSFET的开关速度又不增加开关噪声，又在驱动电路中增加Gate Boost电路，同样利用PSpice软件仿真可以发现Gate Boost电路可以有效减少开关时间，减小开关损耗。　　4.搭建双脉冲实验平台，利用实验平台测试SiC MOSFET的动态特性，根据器件的开关波形来验证驱动电路的基本功能并比较带有Gate Boost驱动电路与传统驱动电路对器件开关特性的影响。通过实验还可以选择适合SiC MOSFET的最佳栅极电阻。最后实验结果表明，所设计的驱动电路具有良好的驱动能力，Gate Boost电路在实际测试中也可以实现其功能，缩短开关时间。　　综上，本文设计了一种新型的SiC MOSFET驱动电路，其驱动速度快，输出电流大，可以保证器件安全有效地工作。