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对电场下制备的Ir(ppy)<,3>和DCJTB共掺杂和分别掺杂PVK薄膜的PL和EL进行了研究。试验发现电场诱导聚合物分子发生取向对PL发光光谱影响比较小，对EL光谱影响比较大。经过进一步的理论分析表明，分子取向变化对单重态和三重态激子形成截面的影响较大。研究显示，分子取向可以导致单重态激子分支比增加，不利于三重态激子的形成。取向可能引起分子的刚性增强，共平面性增强，相邻分子链趋于平行，电荷组态间的强相互作用也随之增强。进一步的理论计算和分析表明聚合物的取向对起动力学速率常数K的影响不大；分子链取向作用也并没有增强Ir(ppy)<,3>向DCJTB的能量传递。R<,EL>的变化只能由σ<,T2>/σ<,s1>引起。不同电场强度下制各的样品的EL光谱显示，随着分子取向的增强，R<,EL>降低。由此可知分子取向导致σ<,T2>/σ<,s1>降低，即三重态激子形成截面降低。
电场作用下的聚合物PVK掺杂Ir(ppy)<,3>的薄膜的激发态寿命随电场的增加而延长。给体和受体之间的能量传递机制和激子的扩散可能导致了衰减曲线偏离单、双e指数衰减规律。
对低温下PVK掺杂Ir(ppy)<,3>的PL光谱进行研究，发现Ir(ppy)<,3>的两个发光峰的变化，尤其是540nm处发光峰的变化，提出一个三能级的图来表示Ir(ppy)<,3>的三重态的亚稳态。认为514nm(低温红移后的508nm)和540nm的发光分别来自三重态的两个亚稳态，514nm的发射是来自更高的亚稳态2，主要是由于温度高的情况下电子的热运动，使得电子聚集于2上的几率增大。而低温下，由于自旋一电子振动耦合的存在，使得禁戒的亚稳态1的耦合伴随态向低能的跃迁略有加强。高温的谱带的半高宽较低温略有加宽，低温下的电子的热失活比例减小也使得低温的发光强度较高温的有所增强，PVK和Ir(ppy)<,3>的发光峰在低温下略有蓝移。