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非晶铟镓锌氧（a-InGaZnO）薄膜具有可低温或室温制备，较宽的禁带宽度（>3.0 eV）,高的迁移率，大面积制备薄膜均匀性好等优点，已成为制备下一代平板显示器方面的优选材料。这使其在光电子领域有着巨大的潜在应用价值，尤其是在透明薄膜晶体管领域大放异彩。鉴于其卓越的物理特性，近年来，研究者们也将a-InGaZnO薄膜应用紫外探测器领域。然而，目前报道的 a-InGaZnO基紫外探测器的器件结构还都是基于工艺复杂的晶体管型器件结构。而基于简单制备工艺的金属-半导体-金属（MSM）器件结构的 a-InGaZnO基紫外探测器还未见报道。本论文开展了InGaZnO非晶薄膜的外延生长，制备了MSM结构的a-InGaZnO紫外探测器，并对其光谱响应特性进行了研究，本文主要研究内容如下： 1.以c面蓝宝石为衬底，采用激光分子束外延（LMBE）技术在室温下外延生长了a-InGaZnO薄膜，并对薄膜的光电性质进行了表征。 2.利用真空热蒸发技术在a-InGaZnO薄膜表面蒸镀一层Au薄膜，并利用光刻和湿法蚀刻技术制备了MSM结构 a-InGaZnO紫外探测器，对该探测器进行了光电特性的表征。测量结果显示：该探测器具有较好的无偏压光谱响应特性（4 mA/W）。为了探究这个紫外探测器的无偏压光谱响应特性，我们对其进行了外加偏压的光谱响应测试、I-V特性测试及瞬态时间响应测量。通过对测试结果的分析，该探测器的无偏压光谱响应特性被归因于存于插指电极两侧的非对称陷阱态对光生空穴的俘获作用，从而使插指电极两侧形成了一个非对称的肖特基势垒。本论文的实验结果为在简单的平面 MSM结构探测器中实现无偏压光谱探测提供了一个可行的途径。