传统的薄膜晶柱状X射线闪烁屏存在光串扰的问题,导致其分辨率不高,虽然降低其厚度可以提高分辨率,但同时也降低了其探测效率。而基于宏孔硅的X射线闪烁屏不仅能解决光串扰的问题,还能保证其厚度,进一步提高闪烁性能,目前此类X射线闪烁屏已经成为研究主流,因此本文开展了基于宏孔硅的X射线闪烁屏性能方面的技术研究。通过光刻、ICP刻蚀、硅光电化学腐蚀、整形、氧化等工艺制备出宏孔硅基体,采用真空熔化填充法来实现Cs I(Tl)深孔阵列的填充,对其进行抛光,制备出闪烁屏。观察闪烁屏剖面SEM图,发现闪烁屏填充情况良好,即便填充的Cs I(Tl)闪烁晶柱深度达到200μm,只有填充底部有少量气体。研究了抛光垫材料对闪烁屏的影响,对比研究了正置和倒置两种抛光方法,结果表明正置抛光方法可以提高闪烁屏表面光洁度和通道内晶柱结构完整性。对不同掺Tl+浓度的闪烁屏进行XRD表征,分析闪烁屏的X射线衍射图,发现随着掺Tl+浓度的增加,闪烁屏X射线衍射图的峰位会有所移动。搭建了X射线成像系统,使用相机并增加曝光时间来提高闪烁屏的X射线成像图的亮度,得到了不同掺Tl+浓度闪烁屏的X射线成像图,使用Matlab软件对成像图进行处理分析,发现当掺Tl+浓度为0.09 mol%时,亮度最高,并且随着掺Tl+浓度的增加,亮度呈先向上升后下降状态。分析闪烁屏的X射线激发发射光谱,当掺Tl+浓度为0.09 mol%时,相对发光强度最高,这与X射线成像图的结果一致,并且发现,随着掺Tl+浓度的增加,X射线激发发射光谱的发光峰稍微向右移动。利用搭建的X射线成像测试系统,通过改变X射线的能量和成像时间,得到不同厚度的基于宏孔硅的闪烁屏的X射线成像图,用Matlab软件对图片进行分析,发现随着闪烁屏厚度的增加,图片亮度也在增加。