在具有低维晶格结构的材料中,载流子电输运行为受到尺寸的限制,常表现出区别于块体材料的新颖的光学、磁学、电学性质,可应用于新型微波、光子、电学器件的加工制造以及锂电、热电、光电等能源转化领域。本论文主要选取几种具有低维晶格结构的三元硫属化合物,通过第一性原理计算、电输运及磁性测试、角分辨光电子能谱、扫描隧道显微镜等表征手段,研究了其热电、超导、磁致电阻等物理性质,深入理解它们的电子能带结构,为能源转化材料的探索提供了一些思路。论文主要包括以下几个实验方面的工作:1、准一维窄带隙半导体CsBi4Te6是由Cs+离子插入[Bi4Te6]-层形成的一种具有良好低温热电性能的功能材料。准确了解CsBi4Te6的电子结构,有助于理解其热电性能和超导行为的来源及内在联系。作者使用角分辨光电子能谱详细分析了 CsBi4Te6的电子结构,其布里渊区Γ点能隙约为0.05-0.1 eV,费米能级附近的价带和导带的色散呈高度各向异性,特别是kx色散非常弱,导带色散呈八型且能带宽度显著大于计算结果,这种色散类型意味着轻的有效质量以及高的迁移率。揭示CsBi4Te6的精确电子结构,有助于寻找高效的热电材料,为设计和优化它们的性能提供思路。2、二维异质结三元硫化物(SnS)1.17(NbS2)由NbS2和SnS两种亚层以三明治形式交叉堆叠而成。掌握这类天然超晶格材料中每个亚层的电子结构,可以为研究单层过渡金属二硫化物的性质提供重要指导。作者以角分辨光电子能谱-扫描隧道显微镜-电输运测试/磁性等测试互为辅助,在(SnS)1.17(NbS2)中发现了类似单层NbS2的电输运行为。此工作有助于理解异质结材料的电子结构特征,提供了研究一些难以得到的过渡金属二硫化合物的性质的新思路。3、在二维范德华三元碲化物晶体FeNbTe2中作者发现了本征的不饱和负磁致电阻,且在低温下磁致电阻大小偏离磁场平方的规律。通过对材料电、磁性质的详细分析,确定此负磁致电阻来源于安德森局域和自旋玻璃态的共同作用。本工作有助于加深对安德森绝缘体负磁致电阻内在微观机制的理解。