单层过渡金属硫族化物（TMDCs）具备类似单层石墨烯的优异电学性质,可应用于光电探测器件、微纳激光器以及微纳逻辑器件等。但是单层TMDCs材料的光学吸收率并不高,利用量子点与单层TMDCs形成异质结是提高单层TMDCs光电性能的一种有效方法。近些年来,卤化铅钙钛矿量子点受到人们广泛关注与研究。钙钛矿量子点/单层TMDCs的异质结结构,可以在极大提高TMDCs光利用率的同时,兼备这两种材料的优异性质。本文针对TMDCs体系中的单层二硫化钨（WS₂）,采用无机铯铅溴钙钛矿（CsPbBr₃）量子点材料作为光吸收层,制备了单层WS₂/CsPbBr₃量子点异质结。分别测量了单层WS₂与单层WS₂/CsPbBr₃量子点异质结对应的载流子动力学特性;分析了单层WS₂/CsPbBr₃量子点异质结中,CsPbBr₃激子向WS₂的A、B激子的能量转移机制;发现了单层WS₂/CsPbBr₃量子点异质结内层间激子的形成并分析其机理。具体的研究成果总结如下:1.采用瞬态吸收谱测量技术,测量了单层WS₂与单层WS₂/CsPbBr₃量子点异质结中,100 ps时间尺度内分别对应WS₂的A、B激子随辐照功率变化的弛豫特性。A、B激子弛豫过程分为快（ps量级）、慢（几十ps量级）两个过程,对应的物理机制分别为激子的俄歇复合与单激子的无辐射复合。与单层WS₂相比,异质结中A、B激子的快弛豫速率均减慢,而慢弛豫速率极大地增加。在40μJ/cm²的辐照功率密度下,异质结中A激子浓度最多上升了69%。2.详细分析了单层WS₂/CsPbBr₃量子点异质结中,CsPbBr₃激子向WS₂中A、B激子的不同能量传递机制。CsPbBr₃激子向A激子的能量传递,可视作CsPbBr₃激子分解的电子与空穴分别从CsPbBr₃量子点向单层WS₂迁移后,再重新结合形成A激子的过程。而CsPbBr₃激子向B激子主要通过“偶极子-偶极子耦合”的共振能量传输方式进行能量传输。3.首次发现了单层WS₂/CsPbBr₃量子点异质结内层间激子的形成。对单层WS₂与异质结中A激子能量附近的特征瞬态吸收谱进行详细分析。与单层WS₂相比,异质结内A激子能量附近吸收谱的零点距离明显缩短。分析并排除了A、B激子相互碰撞等因素对A激子能量附近吸收谱的影响后,发现WS₂中电子与CsPbBr₃量子点中空穴受库伦力作用形成层间激子。层间激子的内建电场跨过异质结界面,对A激子能量附近的吸收谱产生影响。通过分析并建立层间激子与A激子的弛豫速率方程,得到层间激子弛豫寿命为36.6 ps。