近年来,石墨烯等二维（2D）材料因其独特的性能而备受关注。随着二维材料的兴起,过渡金属硫族化合物（TMDC）单层分子已经成为探索二维半导体材料的新领域,研究表明它在电子、光电子领域中存在着巨大的应用价值。但目前由于制备方法的不成熟,它的实际应用仍然存在一定挑战。针对于此,本文详细研究了其化学气相沉积（CVD）的制备方法,探讨了其中WSe₂的辅助生长和相关光电性能的研究。具体如下:1、采用控制变量法对单层WSe₂生长条件的最佳窗口进行了探索,重点研究了:（1）H₂对单层WSe₂生长的影响:加入H₂后有效的促进了还原和硒化反应,同时减小了中间产物和副产物的生成,衬底上生长出单层WSe₂。（2）温度和生长时间对单层WSe₂生长的影响:当温度为1000℃,生长时间为13min时,成功生长出60μm三角形单层WSe₂。（3）探究了正六边形、正三角形、截断三角形WSe₂的生长机理。2、卤素盐KCl对单层WSe₂生长的影响:WO₃中加入KCl后加快了WO₃的升华和其硒化的速率,衬底上生长的单层WSe₂明显更多更密集,当KCl:WO₃为1:10时生长出234μm表面均匀性好、结晶质量高的WSe₂薄膜。同时应用拉曼光谱、扫描电子显微镜、原子力显微镜等多种表征技术,证明了所生长的样品为单层、结晶质量高的WSe₂。3、在前驱体中引入碲粉,碲粉可以有效降低WSe₂生长温度,成功实现了WSe₂的低温生长。图45幅,表2个,参考文献46篇。