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近年来,GaN材料以其优异的光电性质和稳定的化学性质在光电信息技术领域越来越受到人们的关注。GaN材料是直接带隙半导体材料,具有禁带宽、电子饱和速率高、击穿电场高、热稳定性好、化学稳定性强等优点。目前,基于GaN及其化合物的激光二极管和发光二极管已经实现商业化应用。另外,GaN材料的禁带宽度宽,适用于制备短波长光电子器件；GaN材料的击穿电场高,适用于制备高频器；GaN材料的化学性质稳定,抗辐射能力强,可以在高辐射环境下工作。由于热力学性质的限制,GaN体材料的生长仍然存在较大的困难。近年