CMOS电流模式射频混频器研究

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随着无线通信产品的市场需求量不断增长,人们对无线通信产品的性能提出了更高的要求:更低电压、更低功耗、更小体积、更高性能和更低成本等。射频前端作为无线通信的关键模块之一,对其要求也愈来愈高。传统的射频前端主要.采用电压模式电路,而随着现代集成电路技术的发展,人们发现电流模式电路具有频带宽、能量消耗低以及高频特性好等优点,更加符合现代电路设计要求。电流模式的设计方法已经成为射频前端设计的热点研究方向之一。因此,本文以射频接收机前端电路中的关键模块——混频器为研究对象,提出了一种新型的低电压高线性电流模式混频器电路。主要工作如下:首先,本文介绍了混频器设计的理论基础,接着讨论了混频器的主要性能参数,然后将混频器分成乘法器型与开关型两类,并通过对这两类电路的详细分析,得出了两种混频器的设计方法。然后,在之前分析的基础上,提出了一种2.4GHz低电压高线性的电流模式混频器,其特点主要有:(1)采用平行折叠结构,其开关级工作在亚阈值区,用LC谐振环作为尾电流,使得该电路在Chartered 0.18μm CMOS工艺、0.9 V电压下能够正常工作;(2)使用电流镜放大输入输出,不但减少了V-I(电压—电流)以及I-V(电流—电压)转换,同时使得电路具有很好的线性度。该混频器在1V电压时IIP3(输入三阶交调点)为13.48 dBm,增益为-0.21 dB,整个芯片功耗为5.3 mW;(3)对电流镜式连接结构进行改进,使得电路在1V电压时保持性能基本不变,同时增益提升了0.23 dB,IIP3增加到24.64 dBm。通过仿真发现,工作电压有±0.1V浮动时,整个电路工作性能仍然保持稳定。最后,在Candence软件中,采用Chartered 0.18μm RF CMOS工艺,对本论文提出的混频器进行了版图设计和后仿真,并对前仿真和后仿真结果进行了比较,结果表明前、后仿真结果差别较小,符合设计标准。
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