随着电子器件工作频率的提高,芯片封装中的高频电磁辐射也愈发严重。在加载散热器的系统级封装场景内,辐射从散热器与PCB的间隙中泄漏,干扰其他功能模块。当散热器与PCB间距增大,电磁辐射传播方式改变,使得传统的商用吸波材料无法对高频辐射进行有效抑制,需要进行新型高性能电磁吸收体的设计,但业界对宽带高频（f＞20GHz）吸收体的研究也很少。因此,本文基于系统级封装,在散热器与PCB间距较大的情况下,围绕20GHz以上高频辐射的宽带抑制吸收展开了大量研究。本文开展的研究内容如下:针对系统级封装内辐射传播方式改变的问题,本文首先开展大量CST仿真,提出并验证了系统级封装内的电磁辐射机制,从原理上解答了当散热器与PCB间距增大时辐射抑制效果恶化的原因。基于辐射机制,本文提出了提高辐射抑制效果的方案。最后,在混响室中,结合商用吸波材料对系统级封装进行了远场辐射测试,通过对比实验验证了本文提出的辐射机制,并证明了本文提出的方案能明显提高辐射抑制效果。该工作为业界解决辐射吸收问题提供了另一种思路,即除了考虑提高吸收体的性能,还可针对辐射传播机制进行研究。针对20GHz以上宽带高频电磁吸收体的设计问题,本文提出了一种新型复合吸波材料及其设计方法,通过结合系统级封装的仿真和实验,证明了该复合材料具有比商用吸波材料更优越的性能,其10dB和7dB吸波带宽分别达到了10GHz和15GHz。之后,对另一种吸收体——集总电阻型频率选择表面（FSS）进行了设计和分析,提出了“方环型”和“风车型”两种吸收体结构,并通过仿真和实验验证了它们在封装中良好的辐射抑制效果:“方环型”吸收体的10dB吸波带宽达到了5GHz以上,“风车型”吸收体的7dB吸波带宽达到了15GHz以上。最后,本文对集总电阻型FSS进行拓展设计,提出了超宽带的双层“方环型”吸收体以及双层“风车+方环型”吸收体结构。该工作不仅解决了系统级封装中高频、宽带辐射抑制的工程性难题,还对学术界研究较少的高频吸收体进行了设计和分析,并形成了高效率的设计流程和方法。