随着消费类电子设备日益走向小型化、高速率,今后的封装发展的过程中将始终伴随着严重的电磁干扰问题。本文基于系统级封装中常见的引线键合式球栅阵列（Wire-Bonded Ball Grid Array,WB-BGA）封装和采用溅射镀膜电磁屏蔽方案的新型系统级封装,针对其电磁干扰问题展开研究。针对已经大规模应用于消费类电子设备中的WB-BGA封装,本文给出了一种该封装的精确建模方案,尤其是当前研究涉及较少的片内电感建模。然后基于精确建模的封装仿真模型,仿真得到片内电感和片外结构的远场辐射,通过对比确定了该封装在10 GHz附近辐射超标的主要原因是片内电感。该研究有助于通过仿真建模分析其他含有片内电感的封装,指引日后消费类电子设备中封装的设计。本文基于实际商用的、采用溅射镀膜屏蔽方案的系统级封装,针对其电磁干扰问题中的近场屏蔽性能问题进行了深入的研究。采用理论分析和全波仿真相结合的方法,探究了该封装电磁屏蔽性能的多个影响因素,主要有镀膜的厚度、电导率、缺陷、均匀性、镀膜到地的直流电阻、焊球分布等。依据之前对采用溅射镀膜屏蔽方案的系统级封装电磁屏蔽性能影响因素的研究结果,该封装的辐射泄露主要来自球栅阵列层,因此本文提出了两种优化方案。第一、焊球分布可采用以下优化策略:（1）地焊球的间隔应随着离辐射源的距离增大而逐步增大,从而降低开孔面的电磁场强度;（2）各个方向上都应该分布有地焊球,避免镀膜与地平面之间的缝隙未被切断的情况发生。优化后的焊球分布能够提升屏蔽性能20 d B以上。其次基于缝隙波导理论,将蘑菇型电磁带隙结构（Electromagnetic Bandgap,EBG）应用于封装与地平面之间,能够减少镀膜与地平面之间缝隙处的电磁场强度,从而提高屏蔽性能。仿真结果显示蘑菇形和螺旋形EBG均能够工作频带明显地提升屏蔽性能。