与单晶硅材料相比氢化非晶/纳米晶硅(a-Si:H/nc-Si:H)不仅拥有较高的光吸收系数,还具备光学带隙、电导率可调和制备成本低等特点,使得它们在光调制器、光传感器、太阳能电池及薄膜晶体管等领域得到了越来越多的应用。a-Si:H/nc-Si:H薄膜的成膜机理和掺杂机制非常复杂,且大量实验研究表明薄膜的微观结构和各项特性与制备条件关系密切,国内关于这些方面的研究仍然不够充分,尤其对磷重掺杂和硼轻掺杂研究较少。论文针对上述问题展开工作,采用RF-PECVD法制备本征及掺杂氢化非晶硅薄膜,并对本征非晶硅进行退火实验;利用多种分析测试手段对薄膜的特性进行了较为系统地研究;将硼掺杂氢化非晶硅用作液晶空间光调制器的光敏层,并制备出完整器件。主要研究内容和获得的成果包括以下几个方面:(1)退火实验表明,当退火温度达到900时,薄膜出现明显晶化现象;经500和700退火所得到的薄膜均为非晶态,且晶格结构复杂;700退火条件下得到的薄膜出现大量针孔;晶化后薄膜的光学禁带宽度和电导率有明显增大。(2)采用氢稀释与layer by layer结合的手段制备氢化硅薄膜,发现氢对促进薄膜晶化有一定作用,但高密度氢等离子体的刻蚀作用会引起薄膜表面产生严重的缺陷及大量的空隙,使得薄膜暴露在空气中后易发生严重的氧化。(3)磷掺杂硅薄膜均为非晶态,且结构因子R*都较大;掺磷对薄膜的光学带隙有拓宽作用,光学带隙在掺磷浓度为2.5%时达到最大;磷掺杂氢化非晶硅薄膜的电导率要比未掺杂时高出5个数量级左右,但光电导和暗电导几乎相等,掺磷浓度过高,会导致电导率降低。(4)适量的硼掺杂可使氢化非晶硅达到“电学”本征态;硼掺杂会对薄膜的光学性能和微结构产生一定影响;将一定参数下制得的硼掺氢化非晶硅薄膜作为光敏层应用于液晶空间光调制器,取得了较好的成像效果。