碲是第五周期ⅥA族元素,有很多的优异性质,包括高稳定性、优异的热电性、超高的载流子迁移率和光响应度等。碲的带隙可调,带隙大小与厚度有关,从单层到块材带隙为0.35～1.04 e V。单晶碲由一维螺旋分子链堆垛而成,分子链间通过范德瓦尔斯力相连接并堆叠形成无表面悬挂键的层状材料。近年来原子级薄层过渡金属硫族化合物（TMDCs）薄膜的自组装结构成为光电物理和器件研究的一个新兴领域。二硫化钼作为TMDCs中的一员,其具有原子级厚度、良好的环境稳定性、带隙可调以及超高的载流子迁移率等优点。根据二硫化钼纳米卷的相关报道,发现其相比较二硫化钼薄膜具有更加优异的光电性质,所以二硫化钼纳米卷在存储器,光电探测器,忆阻器等领域有潜在的应用前景。本论文主要研究了具有一维链状结构的单质碲的电输运和光电特性。并且制备了基于二硫化钼纳米卷器件并初步探讨其电学特性和光学特性。本论文的主要研究结果如下:（1）实验通过物理气相沉积法制备单晶碲并对其性质进行基本的物化表征,制备的样品主要呈梯形和棒状且长度超过50 um。材料具有E1,A1,E2三种拉曼振动模式,其中A1是垂直分子链的方向上的振动模式,拉曼振动峰最强。X射线衍射结果显示制备的材料是六方晶系的单晶碲。电学测试结果表明材料是p型半导体且随温度降低发现半导体向金属特性转变。（2）实验通过制备悬空样品,对样品进行变温拉曼测试和变功率拉曼测试,得到一阶温度系数和声子频率随温度变化关系,计算得到的热导率为1.496W/（m·K）,与相关文献报道的接近。（3）实验通过熔融盐辅助合成化学气相沉积法制备了单层二硫化钼及通过滴乙醇溶液制备了二硫化钼纳米卷,对材料的基本性质进行表征。生长的样品主要呈正三角形,尺寸在可达50 um,厚度为1 nm。研究结果得到了温度场变化对于单层MoS2和MoS2纳米卷的声子振动特性的影响。