尽管半导体集成电路技术在阻变随机存储器（RRAM）方面取得了很大的进展,但在极其复杂的集成电路上仍难以实现。人们逐渐认识到,可持续电子器件在电子产品中的应用前景十分广阔,本文将选用有机材料作为RRAM的介电层进行实验研究。首先,我们制备了通过pH值调节忆阻性能的忆阻器,对器件的性能进行全面的分析论证。实验结果表现出器件具有多级存储操作和多个电阻状态说明器件在存储操作和多逻辑运算等方面具有很好的应用前景,其中Ag/（C₇H₇O₄N）_n/FTO结构的忆阻器具有独特的电容效应和负微分电阻（Negative Differential Resistance,NDR）效应,实验证实了不过零点的迟滞曲线和多个电阻状态是可行的。在自着色的（C₇H₇O₄N）_n介电层中,首次观察到p H值调控的忆阻行为。界面上产生的电动势是产生这种电容效应的主要原因,而介电层中的离子输运和外加电压下的氧化还原反应在多态电阻开关行为和NDR效应中起主导作用。其次,电容性器件在触控传感器、储能器件、多功能晶体管等电子器件系统中有着广阔的应用前景,但作为电容性器件的忆阻器还处于空白状态。以红薯皮粉末为介电层,制备出了Ag/(C₆H₁₀O₅)_n/FTO结构的忆阻器。器件表现出电流电压迟滞,其特征是典型的电容性行为。因为不过零点的电流电压迟滞曲线具有稳定的电阻保持状态,所以其作为非易失性数据存储是可行的。在Ag/(C₆H₁₀O₅)_n和(C₆H₁₀O₅)_n/FTO界面上电荷的迁移以及Ag⁺与电荷之间的相互作用导致了不过零点的电流电压特性曲线。然后,我们从制备柔性电子器件的角度出发,选取柔性的PET为衬底用红薯皮粉末作为介电层制备出柔性有机忆阻器。所制备的器件具有稳定的存储性能和较大的电阻开关比率,当扫描电压的电压幅值较大时器件的电流电压曲线表现出电阻开关和NDR效应稳定共存。为了进行详细的机理分析,采用两种不同功函数的材料（Ti和ITO）作为下电极,制备出了Ag/(C₆H₁₀O₅)_n/Ti/PET和Ag/(C₆H₁₀O₅)_n/ITO/PET器件。通过对数据的分析拟合揭示了所制备的柔性有机忆阻器的电荷传导历程,为电流电压迟滞曲线的分析提供了重要的理论方法。