CVD法制备石墨烯及其光电性能研究

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石墨烯(Graphene)是具有独特晶体结构的二维材料。因其优良的透光性和超高的电子迁移率等优势,在光电器件和半导体领域中有广阔的应用前景。为了发挥石墨烯的诸多优良性能,高质量的石墨烯则是必不可少的。本文基于化学气相沉积(CVD)法,以铜箔为生长衬底,CH_4为碳源,H_2为还原性气体,在低压条件下制备石墨烯。研究了石墨烯生长过程中的衬底质量以及碳源浓度对石墨烯质量的影响。并通过扫描电镜、拉曼光谱等方法对石墨烯薄膜进行表征,同时测试了石墨烯的薄膜透光率以及方阻。最后选择综合性能优异的石墨烯加工成石墨
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