一维纳米核壳结构是对原始纳米材料的剪裁和改造进而得到的双层或者多层特殊结构,具有许多特有的光、电、催化性能,因而在半导体器件、生物医学、环境工程等领域具有非凡的潜在价值,如催化剂、传感器、超级电容器以及存储器等。特别是随着纳米技术的发展,一维核壳纳米材料无论是在材料合成还是在材料设计方面都吸引了广大研究者的热情。本论文对不同退火温度下制成的Ni/NiO纳米线进行了结构表征和分析,进而系统的研究了微结构对单根Ni/NiO纳米线器件电致电阻性能的影响。首先通过高温氧化Ni金属纳米线的方法制备出了具有核壳结构的Ni/NiO纳米线,利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、X射线衍射和热重分析等手段研究了不同退火温度对Ni/NiO核壳纳米线表面形貌,结构组成、磁学特性以及拉曼特性的影响,系统地分析了Ni纳米线到Ni/NiO核壳纳米线的氧化形成过程及作用机理。然后利用标准的CMOS工艺在SiO₂/Si基底上制备出了单根Ni/NiO核壳纳米线电学器件并探究了样品退火温度对Ni/NiO核壳纳米线阻变效应的影响。结果表明:随着退火温度的升高,Ni/NiO纳米线表面逐渐光滑,NiO薄膜层结晶度提高,NiO晶粒逐渐增大,氧化层也逐渐变厚。相应地,Ni/NiO核壳纳米线磁特性逐渐减弱,回收特性逐渐消失,拉曼峰位蓝移,2M峰位逐渐增强;I-V测试表明,在300℃退火条件下单根Ni/NiO纳米线器件展现出优异的阻变性能,开关比大,阈值电压小;但随着温度的升高,单根Ni/NiO纳米线器件阻变性能明显下降,其原因可能是因为退火温度的进一步升高导致了NiO薄膜层厚度的增加并提高了薄膜的结晶质量,进而阻碍了导电细丝在NiO阻变层内的产生。因此,只有在适当温度处理下出现的微结构才具有最优化的电致电阻效应。本文通过对不同退火温度下的样品进行了结构表征和分析,系统研究了样品微结构对单根Ni/NiO纳米线器件电致电阻性能的影响。