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原子层沉积(ALD)技术是近年来逐渐兴起的薄膜制造技术,ALD技术由于其生长的过程具有自限制性,沉积的薄膜厚度均匀、成分可控、且保形性良好。温度作为原子层沉积的重要工艺参数之一,系统温度必须满足温度窗口的需求,才能获得可控的薄膜生长。针对不同类型的应用场合,ALD设备有其对应的加热方式及温度分布需求。本文针对三类ALD设备(平面基底沉积设备、粉体基底沉积设备和快速连续沉积设备)为研究对象,研究了对应设备内部的温度分布规律,设计了相应的温度控制和补偿策略,并设备结构进行了优化设计。本文的主要研究内容包