LED微显示是由微米级无机发光二极管（Micro-LED）制备,像素密度大于1000PPI（Pixel Per Inch）,有效显示区对角线小于1inch,像素尺寸低于50μm的微显示技术。是一种相对于液晶微显示、数字微镜（DMD）和有机发光二极管（OLED）微显示等技术具有高对比度、低功耗、长寿命和快速响应的新型微显示技术。蓝、绿光LED微显示器主要由Ga N基LED微阵列与Si基CMOS电路构成,通过倒装芯片键合（FCB）的方式将二者集成在一起,由于Ga N与Si热失配高达54%,在倒装芯片键合过程中对器件整体施加温度产生的热应力会影响器件键合质量,甚至引起键合凸点的断裂。本文引入激光键合技术,通过激光辐照对像素进行键合来降低由材料之间热失配造成的热应力,探究了激光辐照对器件的性能影响及激光键合技术在LED微显示器件集成中的可行性。主要研究内容如下:（1）通过Micro-LED制备工艺与设备,制备出不同尺寸大小、不同台面形状的Micro-LED,探究了不同尺寸与台面形状对Micro-LED电学性能的影响,发现由于串联电阻的原因使Micro-LED电流随尺寸的增大而增大,电流密度随尺寸的增大而减小是由于结温上升慢,电阻率更低,并且发现不同台面形状Micro-LED对其电学性能基本无影响;通过628.6nm、531.4nm、452.5nm三种不同波长外部光源辐照绿光Micro-LED的实验探究微显示器中各像素之间的辐照是否对微显示器件性能造成影响,发现光照对反向漏电流影响较为明显,Mico-LED工作在正向电压基本不受影响。（2）设计了A、B两种LED微显示器制备方案:A为晶圆-晶圆（Wafer to Wafer）键合法制备方案,B为芯片-芯片（Die to Die）键合法制备方案。对制备好In柱的Dummy IC晶圆上涂敷光刻胶来保护CMOS电路电极,同时又要保证In柱露出胶面,此时需采用胶减薄工艺,在对A方案胶减薄工艺测试中发现干法胶减薄较湿法工艺更为简单,可控性高且无其他负面影响,同时测试了A方案中光刻胶在可去除的前提下能承受的温度上限为170℃;用A方案制备微显示器件在晶圆键合工艺中未被成功键合是由于Ga N的热膨胀系数为5.59×10-6/K,Si为2.59×10-6/K,失配度高达54%,键合凸点最大相对偏移高达19μm,In柱断裂导致键合失败。（3）通过B方案对LED微显示器件进行制备,为B方案的实施设计了4张掩模版,成功制备出0.42inch大小,分辨率为480×270,节距为20μm的绿光与蓝光LED微显示器,其中绿光器件开启电压为2.36V,10A/cm~2下主波长为517.8nm,色坐标为（0.1087,0.7376）,半波宽为32nm,外量子效率为3.52%,47.9A/cm~2电流密度时亮度可达270000cd/m~2。（4）所制备的绿光与蓝光LED微显示器件中存在由于热失配等原因导致未被键合点亮的像素,通过波长532nm,能量密度为662m J/cm~2,脉冲宽度为13ps,光斑大小为1μm的激光辐照,成功将未点亮像素键合,发现器件在受到键合后的正向电流增大约50%,外量子效率增大约15%,亮度增大约50%;但随着激光键合像素数量的增加电学光学特性都发生了衰减,是由于激光辐照产生的高温对Ga N材料造成了热损伤引入大量缺陷导致。