【摘 要】
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反向开关晶体管RSD(Reversely Switched Dynistor)是20世纪80年代由前苏联的科学家基于可控等离子层的换流原理提出的一种专门应用于脉冲功率领域的新型半导体开关。RSD器件
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反向开关晶体管RSD(Reversely Switched Dynistor)是20世纪80年代由前苏联的科学家基于可控等离子层的换流原理提出的一种专门应用于脉冲功率领域的新型半导体开关。RSD器件独特的换流特性使其残余电压在前沿突升很小,导通时的换流损耗远小于准静态损耗,这使得该器件工作于连续振荡发生方式的频率极限得到了大幅度提高。RSD器件作为一种功率器件其工作环境十分恶劣,工作时它的结温会上升得非常高,这样一来对该器件功率耗散的改进和热学特性的提高就变得尤为重要。热阻是用来描述功率器件热学特性的一个重要参数,它可以衡量器件对热量传导的能力,与器件的电特性和机械特性有关。本文以结温压降的关系原理为基础,设计了RSD器件的热阻测量实验,得到了螺栓型小尺寸的RSD器件的热阻实验值约为0.63℃/W,并将该值与热阻的理论计算值进行对比分析从而验证了结果的可靠性。在脉冲功率应用中,RSD器件会产生类似于金属的电流沿器件边缘分布的趋肤效应现象。本文根据趋肤效应的基本理论,推导了RSD器件的趋肤深度值并用有限元软件ANSYS模拟了RSD器件在脉冲条件下的电流密度以及热量的分布情况,并将模拟得到的趋肤深度值与计算结果进行比较从而验证了该器件中趋肤效应的存在。RSD器件热阻和趋肤效应的研究为改善器件的热学特性,扩展器件的工作范围奠定了良好基础。
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