SiC材料是公认的高温半导体材料,在高温MEMS器件领域得到了越来越多的重视和应用。目前,针对其微尺度力学性能的研究已经取得了一定程度的进展,但仍未形成统一的力学参数标准,更是缺乏对其高温特性的研究。本文基于微悬臂梁弯曲测量原理,实验研究了高温环境下微尺度3C-SiC构件断裂强度及尺度效应,并用拟合挠度和拉曼光谱分析的方法测量了薄膜内残余应力。具体包括以下几个方面的内容:1.实验设计方面:结合NanoTest Xtreme型测试系统和FT-MTA02型测试系统的工作原理设计了微悬臂梁的弯曲实验。推导了悬臂梁断裂强度的计算公式,设计了微悬臂梁的尺寸。2.样品制备方面:通过CVD成型方法异质外延生长出厚度为2.4μm的3C-SiC材料。利用ICP设备侧蚀现象,去除Si基底,制备出3C-SiC微悬臂梁。为后续分析断裂强度测量误差,测量制备出的薄膜内残余应力。得到脱基薄膜上存在平均应力-57MPa,梯度应力-175MPa,非脱基薄膜上存在拉应力。3.实验测量与分析方面:基于FT-MTA02型测试系统测量了室温下不同尺寸微悬臂梁的弯曲强度,得到Weibull平均强度为1550.58MPa-2106.20MPa;基于NanoTest Xtreme型测试系统测量了不同环境温度不同尺寸的3C-SiC微悬臂梁断裂强度,得到Weibull平均强度为1144.87MPa-1929.09MPa。通过室温条件下两种测量系统之间测量数据的对比,验证两种测量系统能够对3C-SiC材料微尺度断裂强度进行测量,测量结果相差8%左右。并且通过两种测试系统的测量数据都发现明显的Weibull平均强度随宽度增大而减小的尺度效应。通过不同实验温度3C-SiC微悬臂梁断裂强度的测量发现当温度达到750℃时3C-SiC微尺度断裂强度有较为明显的下降。