光电探测器是指能将入射光能量转化为电信号的光电子器件,其在国防科技和人们生产生活中具有广泛的应用。有机光电探测器包括有机光敏二极管、有机光敏场效应晶体管、有机光敏电阻等。有机光敏二极管由于具有材料选用灵活,制备方式多样,响应光谱范围宽,工作波长可调节的优点,具有广阔的应用前景。本论文研究基于酞菁钕和酞菁锌两种有机光敏材料的平面异质结和超晶格结构的有机光敏二极管。(1)对NdPc2(酞菁钕)/C60光敏二极管中NdPc2层的厚度进行了优化。结果表明,当NdPc2层厚度为20nm时,在反向偏压为5V条件下,器件的暗电流为3151.16μA,光响应度为1.92A/W。(2)对NdPc2(20nm)/C60(50nm)光敏二极管的阳极和阴极分别采用厚度均为lnm的MoO3(氧化钼)和LiF(氟化锂)修饰后,器件的暗电流降低19%。(3)对NdPc2(50nm)/C60(50nm)平面异质结光敏二极管进行了退火处理。结果表明,随着退火温度的升高,器件的暗电流逐渐减小,但光响应度也逐渐降低。(4)制备了ZnPc(酞菁锌,15nm)/C60(15nm)超晶格结构光敏二极管,结果表明,随着超晶格周期数的增加,光暗电流比增大,但光响应度减小。超晶格周期数为10,反向偏压为5V时,获得的暗电流为0.76μ A,光暗电流比为2101.99,光响应度为0.18A/W。