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类石墨烯材料,特别是过渡金属硫化物（TMDCs）因其与生俱来的带隙和优异的物理性质引起了广泛的研究。由过渡金属硫化物材料组合成的混合系统为电子和光电性能方面提供了更多机会,其中超晶格体系在热电材料的方面表现出来的优异性质吸引了人们的注意。随着当前电子技术的发展,设备的各种组成部件应继续缩小并保持高性能特点以满足人们不断增长的物质体验需求。因此研究一维纳米带对于实现以上实物需求方面拥有重要的指导价值。结构对称破缺的单层两面神MoSSe（JMoSSe）被成功合成,具有内在的垂直压电效应等丰富的物理性质。考虑到WSSe的性质本质上与MoSSe类似,并且晶格常数匹配,因此,在这项工作中,我们采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究一维MoSSe/WSSe超晶格纳米带的物理性质的调控效应。主要研究内容与结果如下:（1）研究了不同宽度的锯齿型JMoSSe/WSSe超晶格纳米带（Z-JSLNR）,以及S、Se原子分布、组分比、周期长度对Z-JSLNR结构和物理性质的影响。结果表明,随着纳米带宽度的增加,Z-JSLNR存在从无磁性的半导体性到有磁性的半金属性质的过渡;有规则的调整S、Se原子在金属Mo、W原子两侧的分布可以抑制结构自发弯曲的现象,并且不会改变能带结构性质;超晶格的带隙随着MoSSe材料与WSSe材料之间的组分比的增加而减小,在组分比为4/2和5/1时还出现能带自旋分裂现象,产生2.0和4.0 μB/cell的磁矩;超晶格的带隙随着两种组分材料的周期长度的增加而减小,能带逐渐变得平坦,电荷的局域性增强。（2）研究了不同宽度的扶手型JMoSSe/WSSe超晶格纳米带（A-JSLNR）,以及S、Se原子分布、组分比、周期长度对A-JSLNR结构和物理性质的影响。结果表明,随着纳米带宽度的增加,A-JSLNR的带隙出现震荡变化;有规则的调整S、Se原子在金属Mo、W原子两侧的分布可以抑制结构自发弯曲的现象,并且不会改变能带结构性质;超晶格的带隙随着MoSSe材料与WSSe材料之间的组分比的变化而略有差异,带隙在1.1 eV附近上下波动;超晶格的带隙随着两种组分材料的周期长度的增加而减小,能带逐渐变得平坦,电荷的局域性增强。（3）研究了应变和外电场对不同宽度的AN-JSLNR电子和磁性的调控。在-16%到22%应变范围内,AN-JSLNR的带隙出现先增加后减小的变化,带隙可以在1 eV范围内被线性调控。其中A6-JSLNR的介电常数的虚部和实部沿x、y、z光偏振方向表现出各向异性,随着应变的增加出现红移现象。在外部电场作用下,不同宽度的AN-JSLNR仍然保持非磁性质,在电场0.4V/A范围内,带隙呈现轻微的减小,当电场再随之加大后,带隙急剧减小至零,存在半导体到金属性的转变。此外,我们还通过结合这两种调制方法,在施加不同应变的基础上施加电场,可以提升性能的调控。我们通过应变和外电场调控AN-JSLNR的电子结构性质的研究,为未来相关电子器件的制备提供了有利的理论指导,并为基于这种新型纳米级材料的纳米器件性能的调控提供了可行的方法。