【摘 要】
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随着低温容性耦合等离子体研究的日渐成熟,容性耦合等离子体技术已被广泛的应用于纳米薄膜材料制备、半导体制造工艺、材料表面清洗及掺杂等领域。双频容性耦合气体放电因其
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随着低温容性耦合等离子体研究的日渐成熟,容性耦合等离子体技术已被广泛的应用于纳米薄膜材料制备、半导体制造工艺、材料表面清洗及掺杂等领域。双频容性耦合气体放电因其具有高低频源分别对等离子体密度和离子能量独立调控的特性,所以对双频容性耦合等离子体在不同放电条件下研究大面积均匀放电的规律极为重要。同时在低温等离子体应用中,背景气体温度也是非常关键的参量之一。本文研究了8/100MHz频率组合下氩氮混合容性耦合放电的特性。在氩气含量固定而高频功率从5W升高至40W的实验条件和高频功率固定而氩气含量从70%升高至100%的实验条件中,利用发射光谱仪采集放电光谱,并通过修正的玻尔兹曼方法获得平均电子温度,拟合氮分子第二正带系光谱得到氮分子振转温度。另外还通过一维PIC/MCC数值模型计算得到了各带电粒子密度分布、电子温度分布、电场电势分布及电子能量分布函数(EEDF),对照实验获得的平均电子温度结果分析,表明高频功率的增加可有效的提高电子密度,降低平均电子温度和氮分子转动温度,同时可使振动温度上升,等离子体区扩展,鞘层厚度减小;而氩气含量的增加会使得电子密度升高、电子温度下降、转动温度上升,但鞘层厚度无明显变化。实验通过OCTIVE及示波器测量射频源电流电压来研究氩氮混合气体放电的电学特性。研究发现由于高次谐波的存在电流电压均为非正弦波形,电子密度的非线性增加导致傅里叶分量幅值的增大,等效电阻随高频功率和氩气含量的增加呈下降趋势,进而表明电子密度升高。
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