Cu-Ti3AlC2金属陶瓷的制备及性能

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根据国家863计划课题“Ti3SiC2系材料在高速列车受电弓滑板的应用”基础科学问题研究的需要,研究了批量化制备高纯Ti3AlC2粉体的工艺,分析了合成温度、保温时间以及原料配比对反应产物纯度的影响,并研究了反应助剂Sn在批量合成高纯Ti3AlC2粉体中的作用。然后用所合成的高纯Ti3AlC2粉与Cu粉通过不同的烧结方法制备出具有优异性能的Cu-Ti3AlC2金属陶瓷复合材料,并对其性能进行了测试。 研究结果表明:Ti、Al、C(石墨)摩尔比Ti:Al:C=3:1.1:1.8,合成温度为1450℃,保温时间为5min是制备高纯Ti3AlC2粉体的最佳工艺。但是,当一次合成量较大时,在合成过程中会发生“热爆”,此时产物纯度明显降低。 以Sn为反应助剂,有效地抑制了“热爆”的发生,解决了批量合成Ti3AlC2粉体的关键技术问题。以适量的Sn作为反应助剂不仅可以抑制“热爆”的发生,而且显著降低了合成温度,拓宽了合成温度的范围,在1350℃~1500℃的温度范围内都能获得Ti3AlC2体积含量达到98%以上的蓬松状反应产物。 通过对Ti3AlC2与Cu的界面层的观察分析和DSC分析,可以认为Ti3AlC2与Cu的反应是通过Ti3AlC2中的Al和Cu相互扩散完成的。这种Cu、Al原子间的相互扩散使具有层状结构的Ti3AlC2晶粒发生层间解离,形成Ti3C2-Ti3C2-Ti3C2的层状结构,同时Al原子与进入到Ti3C2层间的Cu形成Cu-Al合金,最终形成非常特殊的“Ti3C2—Cu-Al—Ti3C2”交替层叠的结构。 用无压烧结和无压浸渗烧结制备出具有优异性能的Cu-Ti3AlC2金属陶瓷复合材料。Ti3AlC2与Cu的相对含量对材料的性能有很大影响,当采用无压浸渗烧结时,随着Ti3AlC2含量的增加,材料的抗弯强度、硬度和电阻率都逐渐增大;当体积比为Ti3AlC2:Cu=9:1时,材料的强度达到983.7MPa,硬度值为2.85GPa,导电率为1.95×106S·m-1。 对材料断口的微观形貌分析表明:Cu-Ti3AlC2金属陶瓷中同时存在具有条纹状Ti3C2颗粒和Cu-Al合金相,由于Cu-Al相构成空间网络结构与Ti3C2聚集薄层牢固结合,因此,所得Cu-Ti3AlC2材料具有高强度和高导电性能。
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